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体彩福建31选7第18294开:CGHV50200F射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管GaNHEMT44-50GHz,200Watt

体彩福建31选7第356期 www.zozmne.com.cn 發布時間:2019/12/7 10:54:00 訪問次數:43發布企業:深圳市芯達科技有限公司

制造商: Cree, Inc. 產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 發貨限制: Mouser 目前在您所在地區不銷售該產品。 RoHS: 詳細信息 晶體管類型: HEMT 技術: GaN 增益: 11.5 dB 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V Id-連續漏極電流: 17 A 輸出功率: 180 W 最大漏極/柵極電壓: - 最小工作溫度: - 40 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: - 安裝風格: Screw Mount 封裝 / 箱體: 4402015 封裝: Tray 工作頻率: 4.4 GHz to 5 GHz 工作溫度范圍: - 40 C to + 150 C 商標: Wolfspeed / Cree 正向跨導 - 最小值: - 開發套件: CGHV50200F-AMP 產品類型: RF JFET Transistors 工廠包裝數量: 40 子類別: Transistors Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3.4 V

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