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福建31选718171期:CGHV1J025D射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管GaNHEMTDieDC-18GHz,25Watt

体彩福建31选7第356期 www.zozmne.com.cn 發布時間:2019/12/7 10:57:00 訪問次數:53發布企業:深圳市芯達科技有限公司

制造商: Cree, Inc. 產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 發貨限制: Mouser 目前在您所在地區不銷售該產品。 RoHS: 詳細信息 晶體管類型: HEMT 技術: GaN 增益: 17 dB 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V Id-連續漏極電流: 2 A 輸出功率: 25 W 最大漏極/柵極電壓: - 最小工作溫度: - 最大工作溫度: - Pd-功率耗散: - 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: Die 封裝: Gel Pack 應用: - 高度: 100 um 長度: 1.92 mm 工作頻率: 10 MHz to 18 GHz 工作溫度范圍: - 產品: GaN HEMT 寬度: 800 um 商標: Wolfspeed / Cree 閘/源截止電壓: - 通道數量: 4 Channel 類: - 開發套件: - 下降時間: - NF—噪聲系數: - P1dB - 壓縮點: - 產品類型: RF JFET Transistors Rds On-漏源導通電阻: 600 mOhms 上升時間: - 工廠包裝數量: 10 子類別: Transistors 典型關閉延遲時間: - Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3V

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