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彩票福建31选7:CGH40045F/P射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管GaNHEMTDC-40GHz,45Watt

体彩福建31选7第356期 www.zozmne.com.cn 發布時間:2019/12/7 12:10:00 訪問次數:63發布企業:深圳市芯達科技有限公司

射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt

制造商: Cree, Inc. 產品種類: 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 RoHS: 詳細信息 晶體管類型: HEMT 技術: GaN 增益: 14 dB 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V Vgs-柵源極擊穿電壓 : - 10 V to 2 V Id-連續漏極電流: 6 A 輸出功率: 55 W 最大漏極/柵極電壓: - 最小工作溫度: - 40 C 最大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: - 安裝風格: Screw Mount 封裝 / 箱體: 440193 封裝: Tray 應用: - 配置: Single 高度: 4.19 mm 長度: 20.45 mm 工作頻率: 2 GHz to 4 GHz 工作溫度范圍: - 產品: GaN HEMT 寬度: 5.97 mm 商標: Wolfspeed / Cree 正向跨導 - 最小值: - 閘/源截止電壓: - 類: - 開發套件: CGH40045F-TB 下降時間: - NF—噪聲系數: - P1dB - 壓縮點: - 產品類型: RF JFET Transistors Rds On-漏源導通電阻: - 上升時間: - 工廠包裝數量: 120 子類別: Transistors 典型關閉延遲時間: - Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V

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