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福建31选7今晚开奖结果查询:FF200R12KS4英飛凌??镮NFINEON

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INFINEON

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 275 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 1.4 kW
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 30.5 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
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在25 C的連續集電極電流: 275 A
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