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福建31选7结果18295:FF450R12ME4英飛凌InfineonIGBT???/h1>

体彩福建31选7第356期 www.zozmne.com.cn 發布時間:2019/12/7 19:17:00 訪問次數:370發布企業:深圳市明烽威電子有限公司

FF450R12ME4英飛凌InfineonIGBT???

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制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 675 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FF450R12ME4


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制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 675 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FF450R12ME4


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產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 675 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FF450R12ME4


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制造商: Infineon
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產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
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柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2250 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FF450R12ME4

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商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
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配置: Dual
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商標: Infineon Technologies
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產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
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集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
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最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
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商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
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工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
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產品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.1 V
在25 C的連續集電極電流: 675 A
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最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
封裝: Tray
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
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工廠包裝數量: 10
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零件號別名: FF450R12ME4




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