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制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Emitter
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
在25 C的連續集電極電流: 510 A
封裝 / 箱體: 62 mm
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 36.5 mm
長度: 106.4 mm
寬度: 61.4 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FZ400R12KS4

制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: 詳細信息
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Emitter
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