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体彩福建31选7第18208期:FS75R12KS4英飛凌Infineon,IGBT???/h1>

体彩福建31选7第356期 www.zozmne.com.cn 發布時間:2019/12/7 19:30:00 訪問次數:708發布企業:深圳市明烽威電子有限公司

FS75R12KS4英飛凌Infineon,IGBT ???

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制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 100 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
技術: Si
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
零件號別名: FS75R12KS4
單位重量: 300 g


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制造商: Infineon
產品種類: IGBT ???br /> RoHS: N
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
在25 C的連續集電極電流: 100 A
柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
技術: Si
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
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集電極—射極飽和電壓: 3.2 V
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柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
技術: Si
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
安裝風格: Chassis Mount
柵極/發射極最大電壓: 20 V
產品類型: IGBT Modules
工廠包裝數量: 10
子類別: IGBTs
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柵極—射極漏泄電流: 400 nA
Pd-功率耗散: 500 W
封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
封裝: Tray
高度: 17 mm
長度: 122 mm
技術: Si
寬度: 62 mm
商標: Infineon Technologies
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封裝 / 箱體: EconoPACK 3A
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最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
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長度: 122 mm
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寬度: 62 mm
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